Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion von 256Gb V-NAND Flash Memory mit 64 Lagen für die Nutzung mit einem erweiterten Angebot an Speicherlösungen für Server, PC und Mobilgeräte-Applikationen begonnen. Seit Samsung im Januar dieses Jahres mit der Herstellung der ersten SSD auf Basis der 64-Layer 256Gb V-NAND Chips begann, arbeitet das Unternehmen an einem großen Spektrum an V-NAND-basierten Mobile- und Consumer-Speicherlösungen. Darunter befinden sich Embedded UFS Memory, SSDs und eine externe Speicherkarte, die das Unternehmen im Laufe des Jahres auf den Markt bringen wird.

Samsung beabsichtigt für die Massenproduktion des 64-Layer V-NAND Chips, der vielfach als V-NAND der vierten Generation bezeichnet wird, mehr als 50 Prozent seiner monatlichen NAND-Flash-Produktion bis Jahresende abzudecken. Das 3-bit-256Gb-V-NAND mit 64-Layern von Samsung bietet eine Datenübertragungsrate von 1Gbit/s und ist damit der schnellste derzeit verfügbare NAND-Flash-Speicher. Darüber hinaus erreicht das V-NAND von allen NAND-Flash-Speichern die kürzeste Page Program Time (tPROG) von 500µs. Dies ist etwa vier Mal kürzer als bei typischem Planar NAND Flash Memory mit 10-nm-Strukturen und etwa 1,5 Mal schneller als Samsungs schnellstes 3-bit-256Gb-V-NAND-Flash Memory mit 48-Layern. Darüber hinaus wird das 64-Layer V-NAND mit 2,5V versorgt, was zu einer etwa 30 Prozent höheren Energieeffizienz gegenüber den 3,3V, die das 48-Layer V-NAND nutzte, führt.

64-Layer V-NAND Memory

Auf Grundlage der 64-Layer-V-NAND hat sich Samsung die entscheidende Technologie gesichert, die das Unternehmen in Zukunft braucht, um V-NAND-Chips mit Speicherkapazitäten von einem Terabit und mehr zu produzieren, indem es über 90 Lagen mit Cell Arrays stapelt.